砷化镓（GaAs）作为第二代半导体，砷化镓单晶因其价格昂贵而素有“半导体贵族”之称。
砷化镓是当代国际公认的继“硅”之后最成熟的化合物半导体材料，具有高频率、高电子迁移率、高输出功率、低噪音以及线性度良好等优越特性，是光电子和微电子工业最重要的支撑材料之一。以砷化镓为代表的第二代半导体，广泛应用于制造高频、高速、大功率、低噪声、耐高温、抗辐照等集成电路领域，已经发展成为现代“电子信息产品”和“信息高速公路”关键技术，5G芯片市场非常好，产品供不应求。
来忻落户的企业项目团队技术优势非常雄厚，集团公司下设经北京市科委审核认定的省级独立研发中心，由拥有中国科学院半导体研究所专业研究背景，具备25年砷化镓研发和产业化生产管理经验，曾组织和参与实施多项国家级国防科研项目的砷化镓行业国内著名专家及拥有砷化镓世界龙头企业丰富研发及管理经验的大直径砷化镓单晶制备法发明者共同主管。中心配备数十名研发人员，并聘请多名行业资深专家作为顾问，研发人员素质高、专业精、创新能力强、稳定性优。
该项目拥有多台经自有技术改造的业内先进研发设备，自成立以来，不断创新，成功研发了具备国际先进、国内领先水平的核心技术，并先后获得多项国家级发明专利和实用新型专利授权。集团公司近几年累计投入研发资金超过6亿元。
该项目拥有多条完整生产线，可在最短时间内响应研发成果产业化推广需求。自成立以来，累积销售砷化镓衬底1100余万片（以折算2英寸计）。
砷化镓作为优势材料的一种，依托强大的研发团队支持，集团公司与北京工业大学光电子技术实验室在光电子工业用砷化镓材料技术升级与改进方面开展了合作，还与北京工业大学固体微结构与性能研究所开展关于“微结构光电功能材料、先进电子材料与微结构器件、微结构设计与性能预测”等相关内容的共同研究，获得北工大相关发明专利全球独占许可授权，是产学研的突出表现。还承担了产业链下游知名上市公司——利亚德光电股份有限公司北京地铁14号线数十座车站乘客信息显示系统显示屏（LED领域）建设，负责采用新型砷化镓晶体生长方式研制4英寸砷化镓晶体及晶片，是带动下游产业辐射带动的突出表现。
落户忻州的砷化镓项目的建设内容为：总建设用地195亩，建成年产砷化镓晶棒共371.5万毫米（按4吋计），年加工砷化镓晶片4吋计共592.2万片的生产线。年产晶片600万片（按4吋计），投资总额9.88亿元，营业收入10.36亿元，上缴税收2.78亿元，新增就业人数510人。据调查，如此生产规模是目前世界最大的生产基地，项目达产后忻州产砷化镓晶片将占全球60%的出货量。
微波射频集成电路是无线通讯领域的核心技术，是国际芯片设计领域公认的最难设计的集成电路品种。在所有的手机中，大约一半的芯片成本来源于微波射频芯片，射频芯片主要芯片的衬底材料就是我们忻州半导体新材料产业园所生产的砷化镓单晶片（及其生长出的图形化外延片）。
在移动通信功率器件和光电器件市场需求推动下，全球GaAs芯片市场以30%的年增长率迅速形成数十亿美元的大市场，根据Needham公司预测，未来20年砷化镓集成电路市场都具有高增长性。随着移动通信市场的快速增长，2014年手机与基站的功率放大器的市场需求占据GaAs集成电路需求的85%左右。特别是由于4G移动通讯网络的高速发展，市场对GaAs集成电路产品需求迅速增长。目前，全球超过90%的智能手机和移动终端都采用砷化镓集成电路制作功率放大器，以提供更长的手机通话时间与待机时间。2014年砷化镓功率放大器市场规模超过40亿美元，砷化镓集成电路市场规模约为50亿美元，预计砷化镓功率放大器市场规模的年增长率超过15%。近年来，高数据速率的WiFi市场保持20%的年复合增长率，砷化镓WiFi数据传输芯片已发展成为GaAs集成电路的第二大市场。
来忻落户的该项目企业的技术优势十分强大，微波芯片MMIC的团队有NEC资深技术专家，技术团队从事pHEMT与HBT生产技术研发工作，具有20年半导体技术研发经验，在IEEE MTT-S上发表过多篇技术论文，并获得过多项技术专利，其中来自日本的尾藤先生在微波芯片项目中担任总经理兼技术总监，负责产品的技术及研发工作。他的主要成果有：2000年世界最高功率的砷化镓增强型pHME开发与IC芯片量产化成功，主要客户美国摩托罗拉；2006年世界上第一个低电压工作射频pHEMT放大器芯片开发与量产化成功，主要客户日本索尼；2016年，0.25um pHEMT放大器芯片开发成功，和世界第一的美国Skyworks产品相比功率增加了4%。移动终端射频前端芯片滤波器技术：联手国内学者推出产品RDA6231，获得“中国2012年度电子成就奖年度最佳IC奖”，系列专利凸显在GaAs pHEMT独特的制造工艺和一些专有的电路设计技巧。
忻州产业园的建厂思路是以革新的射频前端架构和电路技术，结合产业链的完整布局，致力于向市场提供具有高性能、高性价比的射频前端集成电路产品，包括2G/3G/4G/MMMB射频功率放大器（PA）及射频前端芯片，射频开关芯片（Switch），低噪声放大器芯片（LNA），WiFi射频前端芯片以及射频电源芯片（Power management）等。已有3个型号Filter/Duplexer产品EWLAP:Etra Wafer-Level Acoustic-device Package拥有完全知识产权的晶圆级封装方案，技术比肩欧美滤波器巨头（Avago，Qorvo，EPCOS）。
微波功率芯片项目总建设用地为176亩，本项目完成后可生产6英寸高品质的微波功率芯片产品。年产晶片60万片（按6吋计），投资总额30.25亿元，营业收入47.84亿元，上缴税收7.42亿元，新增就业人数540人。
来忻落户的半导体及新材料产业园目前正在申报特色小镇——“梧桐芯洲小镇”，寓意梧桐引来金凤凰、产业园区是芯片之洲（芯洲还与忻州谐音）。项目根据国内发展状况，以发展半导体及新材料工业产业为主，辅以产业研发、职业培训、技术应用孵化配套支持，在2242亩土地上，建成建筑面积119.74万㎡，将是忻州最大的产业园区，也是山西省集群化产业发展的示范园区。
本项目拟建的内容包括：一是与半导体及新材料产业相关的半导体材料生产基地，有蓝宝石晶体及晶片项目、砷化镓晶片项目、微波芯片项目；二是与半导体及新材料产业相关的产经服务配套建筑；三是学研中心和产业孵化基地；四是建设半导体及新材料产业总部办公区；五是产业人才培训学院及国际学校；六是专家宿舍；七是园区配套基础设施，包括园区道路、供配电、给排水、供暖、燃气、通讯等……
规模是宏大的，功能是齐全的。当我们目睹这世界最大单体车间的飞快建设速度的时候，当我们伫立园区大门遥望忻州这充满生机的城市的时候，不由自主地会思索：这些企业为何从江南、首都、晋南、晋中等地迁来，决定投资以后，又能如此快捷顺畅地办好土地、环保、城建、电业、供水等种种手续，个中原因肯定很多，但我们可以自豪地下一个结论，忻州已经成为全国宜业宜居的城市，忻州招才引智、以商招商的良好投资环境肯定是诱人的！
这些疑问，笔者在忻州市开发区通汇建设发展有限责任公司得到了解答，董事长刘明义告诉笔者：忻州的投资环境肯定很好，这个半导体园区项目就可管中窥豹。这个园区项目在前期策划、项目规划、组织立项及前期建设过程中，市级及开发区各职能部门间的密切配合、一事一议精准服务等方面的感人事例不必详述，就领导重视方面也是非常感人的，省人大常委会副主任、忻州市委书记李俊明来过，分管工业和引资上项的副省长来过，忻州市长郑连生来过，常务副市长赵志坚来过，许多领导不止来一回，有的甚至十来八回，来了都是直接了当问有什么困难，需要怎么解决，你一告诉，马上会得到解决。有这么多的领导过问和支持，项目岂有不成功之理？（杨峻峰 图/文）
砷化镓车间室外液氮罐
（责任编辑：李冬梅）
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